ガリウムヒ素基板
当社のガリウムヒ素基板は、DVDなどのレーザー用途、LED用途、携帯電話などの電子デバイス用途などに、数多く用いられています。
用途
- 高出力LD、VCSEL、Micro LED、表示用LED用基板として使用されています。
高出力産業用レーザー
製品特徴
- VGF法、LEC法にて単結晶を育成しています。
- キャリア濃度高制御、低EPDの特徴があります。
製品特性
VGF-n型
| VGF-n型 LDグレード | VGF-n型 LEDグレード | |||||||
| 結晶成長法 | ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法 | ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法 | ||||||
| ドーパント、導電型 | N型：Siドープ | N型：Siドープ | ||||||
| キャリア濃度 | N-type (0.4-4)×1018 cm-3 （上記範囲内での調整可能） |
N-type (0.4-4)×1018 cm-3 （上記範囲内での調整可能） |
||||||
| 転位密度(EPD) (cm-2) |
EPDave</=500(LED) EPDmax</=5000(LED) |
EPDave</=500(LED) EPDmax</=5000(LED) |
||||||
| サイズ | 6インチ | 4インチ | 3インチ | 2インチ | 6インチ | 4インチ | 3インチ | 2インチ |
| 面方位 |
1. (100)±0.1° 2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc. 3. ご要望に応じます |
1. (100)±0.1° 2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc. 3. ご要望に応じます |
||||||
| 直径 (mm) |
150.0±0.1 | 100.0±0.1 | 76.0±0.1 76.2±0.1 |
50.0±0.1 50.8±0.1 |
150.0±0.2 | 100.0±0.2 | 76.0±0.2 76.2±0.2 |
50.0±0.2 50.8±0.2 |
| 厚さ (μm) |
450-675 ±15 |
350-625 ±15 |
300-600 ±15 |
240-450 ±15 |
450-675 ±20 |
350-625 ±20 |
300-600 ±20 |
240-450 ±20 |
|
オリフラ長さ OF(mm) IF(mm) |
48.0±1.0 30.0±1.0 |
32.5±1.0 18.0±1.0 |
22.0±1.0 12.0±1.0 |
16.0±1.0 8.0±1.0 |
48.0±1.0 30.0±1.0 |
32.0±1.0 18.0±1.0 |
22.0±1.0 12.0±1.0 |
16.0±1.0 8.0±1.0 |
| （ご要望に応じ調整可能） | （ご要望に応じ調整可能） | |||||||
|
オリフラ方位 OF(mm) IF(mm) |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.05°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.05°/ [IF](011)±0.5° （へき開、ベベルいすれも対応可能） |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.5°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.5°/ [IF](011)±0.5° |
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| ノッチ | OK | 不可 | 不可 | 不可 | OK | 不可 | 不可 | 不可 |
| 外周加工 | べべル | べべル | ||||||
| 加工精度 TTV(μm) |
<5.0 | <5.0 | <5.0 | <5.0 | <10.0 | <10.0 | <10.0 | <10.0 |
| 加工精度 Warp（μm) |
<10.0 | <10.0 | <10.0 | <10.0 | <15.0 | <15.0 | <15.0 | <15.0 |
| 面仕上げ 表面 |
ミラー | ミラー | ||||||
| 面仕上げ 裏面 |
ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ||||||
| 表面処理 | エピレディ | エピレディ | ||||||
| レーザーマーク | オプション | オプション | ||||||
| 梱包形態 | カセット | カセット又は個装トレイ | カセット | カセット又は個装トレイ | ||||
VGF-p型
| VGF-p型 Znドープ | VGF-p型 Zn＋Siドープ | ||||
| 結晶成長法 | ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法 | ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法 | |||
| ドーパント、導電型 | P型：Znドープ | P型：Zn+Siドープ | |||
| キャリア濃度 | P-type (0.5-3)×1019 cm-3 （上記範囲内での調整可能） |
P-type (0.5-3)×1019 cm-3 （上記範囲内での調整可能） |
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| 転位密度(EPD) | (cm-2) |
EPDave</=3000 EPDmax</=10000 |
EPDave</=1500 EPDmax</=10000 |
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| サイズ | 3インチ | 2インチ | 3インチ | 2インチ | |
| 面方位 | 1. (100)±0.1° 2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc. 3. ご要望に応じます |
1. (100)±0.1° 2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc. 3. ご要望に応じます |
|||
| 直径 | (mm) | 76.0±0.1 76.2±0.1 |
50.0±0.1 50.8±0.1 |
76.0±0.1 76.2±0.1 |
50.0±0.1 50.8±0.1 |
| 厚さ | (μm) | 300-600 ±15 |
240-450 ±15 |
300-600 ±15 |
240-450 ±15 |
| オリフラ長さ |
OF(mm) IF(mm) |
22.0±1.0 12.0±1.0 |
16.0±1.0 8.0±1.0 |
22.0±1.0 12.0±1.0 |
16.0±1.0 8.0±1.0 |
| （ご要望に応じ調整可能） | （ご要望に応じ調整可能） | ||||
| オリフラ方位 |
OF(mm) IF(mm) |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.05°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.05°/ [IF](011)±0.5° （へき開、ベベルいすれも対応可能） |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.05°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.05°/ [IF](011)±0.5° （へき開、ベベルいすれも対応可能） |
||
| 外周加工 | べべル | べべル | |||
| 加工精度 | TTV(μm) | <5.0 | <5.0 | <5.0 | <5.0 |
| Warp（μm) | <10.0 | <10.0 | <10.0 | <10.0 | |
| 面仕上げ | 表面 | ミラー | ミラー | ||
| 裏面 | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | |||
| 表面処理 | エピレディ | ||||
| レーザーマーク | オプション | オプション | |||
| 梱包形態 | カセット又は個装トレイ | カセット又は個装トレイ | |||
半絶縁性
| VGF-半絶縁性 | LEC-半絶縁性 | |||||
| 結晶成長法 | ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法 | ＬＥＣ（Liquid Encapsulated Czochralski ）法 | ||||
| ドーパント、導電型 | 半絶縁性：アンドープ（Cドープ） | 半絶縁性：アンドープ（Cドープ） | ||||
| 抵抗率 (at 25℃) |
>/=1×107 Ω cm （上記範囲内での調整可能） |
>/=1×107 Ω cm （上記範囲内での調整可能） |
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| 転位密度(EPD) (cm-2) |
EPDave</=5000 | EPDave</=10^5 | ||||
| サイズ | 4インチ | 3インチ | 2インチ | 4インチ | 3インチ | 2インチ |
| 面方位 |
1. (100)±0.1° 2. (100) off 2°±0.1° towards (110) etc. 3. ご要望に応じます。 |
1. (100)±0.1° 2. (100) off 2°±0.1° towards (110) etc. 3. ご要望に応じます。 |
||||
| 直径 (mm) |
100.0±0.1 |
76.0±0.1 76.2±0.1 |
50.0±0.1 50.8±0.1 |
100.0±0.1 |
76.0±0.1 76.2±0.1 |
50.0±0.1 50.8±0.1 |
| 厚さ (μm) |
450-625 ±15 |
350-625 ±15 |
300-450 ±15 |
450-625 ±15 |
350-625 ±15 |
300-450 ±15 |
|
オリフラ長さ OF(mm) IF(mm) |
32.0±1.0 18.0±1.0 |
22.0±1.0 12.0±1.0 |
16.0±1.0 8.0±1.0 |
32.0±1.0 18.0±1.0 |
22.0±1.0 12.0±1.0 |
16.0±1.0 8.0±1.0 |
| （ご要望に応じ調整可能） | （ご要望に応じ調整可能） | |||||
|
オリフラ方位 OF(mm) IF(mm) |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.5°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.5°/ [IF](011)±0.5° |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.5°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.5°/ [IF](011)±0.5° |
||||
| 外周加工 | べべル | べべル | ||||
| 加工精度 TTV(μm) |
<5.0 | <5.0 | <5.0 | <5.0 | <5.0 | <5.0 |
| 加工精度 TIR(μm) |
<5.0 | <5.0 | <5.0 | <5.0 | <5.0 | <5.0 |
| 加工精度 Warp（μm) |
<10.0 | <10.0 | <10.0 | <10.0 | <10.0 | <10.0 |
| 面仕上げ 表面 |
ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ||||
| 面仕上げ 裏面 |
ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ||||
| 表面処理 | エピレディ | エピレディ | ||||
| レーザーマーク | オプション | オプション | ||||
| 梱包形態 | カセット又は個装トレイ | カセット又は個装トレイ | ||||
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