窒化物系エピ基板
次世代パワー半導体や高周波デバイスに用いられるワイドバンドギャップ材料である窒化ガリウム（GaN）。当社の窒化ガリウムエピ基板は独自のバッファー層により高耐圧と良好な平坦性の両立をSi基板上に実現しました。（GaN on Si HEMTエピ基板）
p-GaN cap層、AlGaN DH構造の開発にも取り組んでおり、ノーマリオフHEMTエピ基板の実現を目指しています。
炭化ケイ素（SiC）やサファイア上のGaNエピ基板、高品質LED用AlNテンプレート（サファイア基板上）にも対応いたします。
用途（GaN on Si HEMTエピ基板）
- パワー半導体用途：インバータ、AC-DCコンバータ
- 高周波デバイス用途：携帯電話基地局向け
エアコンなどのインバータ
携帯電話基地局などの高周波用
製品特徴（GaN on Si HEMTエピ基板）
- 高耐圧（1000V)＆低リーク電流（1E-6A)
- クラックフリー
- 良好な反り（Bow＜50μm）
- ウェハサイズ（3、4、6インチ）
- 厚膜対応可能（4.8μm）
- p-GaN cap層、AlGaN DH構造
製品特性（GaN on Si HEMTエピ基板）
- Standard HEMT Structure
| Layer | Composition | Thickness | x |
| 4 | GaN | 1nm | |
| 3 | AlxGa1-xN | 30nm | 0.25 |
| 2 | GaN | 1500nm | |
| 1 | Buffer | 3300nm | |
| Substrate | Si | 625um |
- Substrate
| Material | Silicon |
| Orientation | <111> |
| Crystal growth method | CZ |
| Type | p type |
| Size(inch) | 3,4,6 |
| Thickness(um) | 625 or 675 |
| Backside | rough |
- Electrical properties
| Hall measurement | Typical value |
| Sheet resistance(ohm/sq) | 400 |
| Carrier density(/cm2) | 1.00E+13 |
| Mobility(cm2/Vs) | 1550 |
- Vertical/Horizontal leak current
- 注記
- ・推奨用途：パワースイッチングデバイス
- ・記載値、特性はtypical値です。
- ・ご要望に応じて構造、特性を調整いたします。
- ・p-GaN cap層、AlGaNバッファー構造も対応可能です。
製品特性（AINテンプレート）
| Substrate: | c-plane sapphire |
| Crystal Structure of AlN Epitaxial Layer: | wurtzite |
| Diameter: | 50.8 mm ± 0.25 mm (typical) |
| Thickness of Substrate: | 430 μm ± 25 μm (typical) |
| Thickness of AlN Epitaxial Layer: | 1 μm ± 0.3 μm (typical) |
| Surface: | c-plane AlN, as grown effective area < 40 mmΦ (typical) no cracks by a visual inspection. |
| Backside: | rough |
| FWHM of X-ray ω-scan rocking curve: | < 150 arcsec for (0002) (typical) |
| Conductivity: | insulating |
| Packing: | packaged fluoroware container and vacuum-packed. |
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